Wafer di silicio / silice di prima scelta

Offriamo wafer di silicio e silice ultrapiatti (2 pollici ~ 6 pollici) di prima scelta ai nostri clienti di laboratorio per varie applicazioni di ricerca. Questi wafer di silicio e silice sono perfetti per la deposizione chimica o la crescita cellulare. I chip a dadini da 5 mm x 5 mm e 10 mm x 10 mm sono ideali per l'imaging diretto AFM e SEM. I substrati di silice sono substrati di silicio uniformemente rivestiti con uno strato di superficie SiO2 coltivato termicamente a 200 nm. Rispetto al metodo di deposizione chimica in fase di transizione chimica (CVD), l'ossidazione termica fornisce una maggiore uniformità e una maggiore rigidità dielettrica. Per i nostri wafer di silicio rivestiti con strati di ossido (cioè wafer di silice), utilizziamo solo il processo a secco che coinvolge ossigeno molecolare per creare lo strato di ossido termico secco (100 nm ~ 500 nm) per tutti gli strati termici sopra i wafer di silicio.
 

  • Dati chiave:
    Per tutti i nostri substrati silicio / silice:
    Prime / CZ Virgin grade;
    Orientamento: <100>;
    Tipo: P / Dopant: boro
    TIR <3 μm, TTV <10 μm, ARCO <10 μm, Rugosità <0.5 nm

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Alpha Nanotech Silicon Wafers
Alpha Nanotch Silicon Wafers
  • Taglie disponibili:
    Wafer da sei pollici 6 '' con uno spessore di 650 μm +/- 20 μm;
    Wafer da quattro pollici 4 '' con uno spessore di 525 μm +/- 20 μm;
    Wafer da tre pollici 3 '' con uno spessore di 400 μm +/- 20 μm;
    Wafer da 2 pollici 2 "con spessore di 300 μm +/- 15 μm;

     

  • Formati disponibili:
    1x pezzo in un supporto wafer;
    10 pezzi in una scatola di cialde;
    25x pezzi in una scatola di cialde;
    Supporti per wafer o scatole per wafer sono inclusi per ogni singolo acquisto.

     

  • Le superfici lucidate su un lato (cioè SSP) sono disponibili per tutti i wafer mentre le superfici lucidate su un lato (ovvero DDP) sono disponibili solo per wafer di silicio da 4 pollici. Per wafer di altre dimensioni con superfici DDP, è possibile effettuare ordini personalizzati su un volume di ordine minimo di 25 pezzi.


  • Sono disponibili chip a cubetti da 5 mm x 5 mm in scatola di membrana in gel (25 pezzi per scatola) per substrati di silicio / silice con uno spessore di 525 µm +/- 20 µm. 10 pezzi di chip a dadini in scatola di membrana in gel (25 pezzi per scatola) sono disponibili per substrati di silicio con uno spessore di 650 µm +/- 20 µm. I trucioli tagliati con altri spessori sono disponibili su base personalizzata.


  • I wafer di tipo P di alta qualità sono noti per la loro eccellente tolleranza al calore. Non si osservano emissioni di gas o elementi per questi wafer per riscaldamento a 1.000 ° C / 1832 ° F.


  • Per wafer da 2 '' ~ 4 '', le variazioni di orientamento <100> sono <100> +/- 0,5 gradi.
    Per wafer da 6 '', sono disponibili wafer standard e wafer di alta precisione. Per wafer standard da 6 '', le variazioni di orientamento <100> sono <100> +/- 0,5 gradi.
    L'unica differenza tra i wafer standard e quelli di alta precisione è la variazione dell'orientamento e tutti gli altri parametri tecnici sono gli stessi. I wafer standard sono universalmente applicabili per le applicazioni più tipiche che prevedono il taglio a macchina o nessun taglio, mentre quelli ad alta precisione sono adatti per applicazioni ad alta precisione che richiedono il taglio manuale.

Alpha Nanotch Fused Quartz Wafers

List of In-Stock Silicon, Thermal Oxide, Fused Silica Substrates

Ultra- Flat Single-Side Polished (SSP) Silicon Substrates

Size: Two Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Two Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: N/Phosphorus-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Two Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 180 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Three Inch 3''(76.2 mm); Thickness: 400 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Six Inch 6''(150.0 mm); Thickness: 650 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Six Inch 6''(150.0 mm); Thickness: 500 um+/- 10 um; 

Type: N/Phosphorus-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: 5.00 mm x 5.00 mm Diced Chips; Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: 10.00 mm x 10.00 mm Diced Chips; Thickness: 650 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Ultra- Flat Double-Side Polished (DSP) Silicon Wafers

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: N/Phosphorus-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 30 Ω·cm

Ultra- Flat Single-Side Polished (SSP) Silicon Wafers with Dry Thermal Oxides (i.e. Silica Wafers)

 

Size: Four Inch 2''(50.8 mm); Thickness: 300 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Size: Four Inch 6''(150.0 mm); Thickness: 650 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Size: 5.00 mm x 5.00 mm Diced Chips; Thickness: 525 um+/- 10 um; 

Type: P/Boron-Doped; Orientation: <100>+/- 0.5°; Resistivity: 1 - 50 Ω·cm

200 nm+/-10 nm Dry Oxide Layers on Both Sides

Ultra- Flat Double-Side Polished (DSP) Fused Silica/Quartz Wafers

 

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 400 um+/- 10 um; Grade: JGS2

Size: Four Inch 4''(100.0 mm); Thickness: 400 um+/- 10 um; Grade: JGS1

1 pc

$ 21

$ 28

$ 35

$ 60

$ 60

$ 42

$ 42

$ 45

$ 75

$ 95

10 pcs

25 pcs

$ 168

$ 320

$ 168

$ 320

$ 168

$ 320

$ 220

$ 350

$ 270

$ 450

$ 390

$ 650

$ 390

$ 650

$ 48

$ 88

$ 355

$ 550

$ 355

$ 550

$ 355

$ 750

$ 395

$ 850

$ 675

Notes:
 

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